科研人2012外汇开户送金员将存储芯片容量提升1000倍 誉为“终极储存”（概念股） ...

时间：2023-04-22 浏览：41 分类：网络

据报道，韩国技能信息部宣告该国研讨团队使用能够替代现有DRAM或NAND闪存的新一代候选“铁电体存储器（FRAM）”，将存储芯片的存储容量提高了1000倍；一起经过对铁电体物质氧化铪施加3-4V的电压，致使原子之间的力气开裂，每个原子都能够自在移动，然后理论上可将线幅缩小至0.5纳米。

现有半导体的最小线幅为5纳米，此次发现在理论上能够进一步削减到十分之一以下。然后“在相同的空间里贮存1000倍以上的信息”。该项目负责人李准熙教授表明：“在原子中贮存信息的技能，在不割裂原子的情况下成为半导体工业终极贮存技能的几率很高。”值得注意的是，FRAM是现有的半导体资料，被以为商用化的可能性十分高。

相关上市公司：

上海贝岭：存储芯片已构成系列产品，公司“铁电体存储器芯片”项目被列为国家技能创新要点新产品；

东方锆业：旗下有氧化铪产品。