2基金202001021年准备迎接存储器成长周期，各厂商摩拳擦掌

时间：2023-04-22 浏览：66 分类：网络

依据媒体报道，跟着2021年全球三大存储器厂将连续大规模量产下一代DDR5 DRAM，估计存储器商场将迎候下一个生长周期，这使得三星、SK海力士、美光等三大存储器公司正在赶紧技术开发，以面临商场竞赛而抢攻市占率。

依据韩国媒体《BusinessKorea》的报道，全球存储器工业龙头韩国三星电子方案在2021年下半年正式推出DDR5 DRAM。

相较于当时产品DDR4的标准，DDR5 DRAM的传输速率可高达6400Mbps，是DDR4 DRAM 3200Mbps的2倍。别的，DDR5的作业电压为1.1V，这比DDR4的1.2V降低了9%。并且，DDR5的最大容量为64Gb，这部分则是DDR4产品的4倍。

而由于其功能杰出，使得DDR5产品价格即使稍高于DDR4，但由于世代交替的商场需求下，仍有空间为存储器厂带来获利，这也是预期全球存储器工业将迎候新生长周期的主因。

报道着重，依据TrendForce集邦咨询猜测，DDR5在PC DRAM商场中的市占率，将从2020年的不到1%，生长到2021年的10%，足足是10倍以上的生长。尤其是DDR5产品在服务器DRAM商场中，其市占率也将从2020年的4%，进步到2021年的15%。

因而，在商场快速生长的情况下，全球三大存储器厂都开端预备抢攻商机。

其间，韩国SK海力士现已在2020年的10月6日初次揭露宣告DDR5 DRAM，而竞赛对手三星则是估计自2021年开端量产第4代10纳米级的DDR5和LPDDR5。

至于，美商存储器大厂美光则是在2020年头宣告，现已开端向客户出样最新DDR5存储器，以第3代10纳米级1z纳米制程打造，功能进步85%。

而除了DDR5的DRAM竞赛之外，存储器厂商也在NAND Flash快闪存储器的开展上彼此角力。

其间，美光在2020年11月宣告，现已开端量产全球榜首批176层堆叠的NAND Flash快闪存储器。美光指出，新的176层堆叠NAND Flash快闪存储器在读写方面的功能进步了35%以上，并且与同类最佳竞赛对手相较，其尺度更减少了30%。

继美光之后，SK海力士也在2020年12月7日宣告现已完结176层堆叠NAND Flash快闪存储器的开发。SK海力士着重，跟着新产品的生产率进步35%以上，则176层堆叠的NAND Flash快闪存储器将能添加其商场价格竞赛力。

此外，三星方面则是方案2021年发布第7代V-NAND快闪存储器。理论上，第7代V-NAND快闪存储器最多能够到达256层堆叠的才能。

2020年10月，SK海力士宣告将以90亿美元收买英特尔的NAND闪存及存储事务，使得SK海力士在全球NAND Flash快闪存储器商场的市占率有望到达20%以上。

TrendForce表明，到2020年第3季停止，三星电子以33.1%的市占率在全球NAND Flash快闪存储器商场中排名榜首，铠侠则以21.4%位居第2，西部数据的市占率则为14.3%，位居第3，SK海力士和英特尔的市占率则分别为11.3%和7.9%。

报道进一步着重，业界预期，NAND Flash快闪存储器商场的生长将比DRAM商场更快，原因在于智能手机向5G开展，以及资料中心的服务器对SSD的需求所形成，这使得NAND Flash快闪存储器商场到2024前将以每年30%到35%的速度增加，相较于DRAM的年平均生长率为15%到20%而言，NAND Flash快闪存储器商场的生长速度快许多，也使得厂商愈加重视NAND Flash快闪存储器商场的开展。

（修改：玉景）